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       1. 前言

        LED封裝的功能主要包括:

       1. 機械保護, 以提高可靠性;

       2. 加強散熱, 以降低芯片結(jié)溫, 提高LED性能;

       3. 光學控制, 提高出光效率, 優(yōu)化光束分布;

       4. 供電管理, 包括交流/ 直流轉(zhuǎn)變, 以及電源控制等。

       LED封裝是一個涉及到多學科( 如光學、熱學、機械、電學、力學、材料、半導體等) 的技術(shù)。(如圖1所示)從某種角度而言,LED封裝不僅是一門制造技術(shù)(Technology), 而且也是一門基礎科學(Science), 優(yōu)秀的封裝工程師需要對熱學、光學、材料和工藝力學等物理本質(zhì)有深刻的理解。最近芯片級封裝CSP吸引了大家的目光，所以現(xiàn)在與未來的LED封裝技術(shù)，更需要在LED封裝設計上與芯片設計上同時進行, 并且需要對光、熱、電、結(jié)構(gòu)等性能統(tǒng)一考慮。在封裝過程中, 雖然材料( 散熱基板、熒光粉、灌封膠) 選擇很重要, 但封裝結(jié)構(gòu)( 如熱學界面、光學界面) 對LED光效和可靠性影響也很大, 大功率白光LED封裝必須采用新材料, 新工藝, 新思路。小間距或Mini LED的封裝技術(shù)需要對倒裝芯片與回流焊或共晶倒裝封裝制程更深刻的理解。對于LED的技術(shù)從業(yè)者而言, 成本光效與可靠度之外，更是需要將光源、散熱、供電和燈具等集成考慮。本篇白皮書針對LED封裝技術(shù)的現(xiàn)狀與未來做探討，進而分析未來LED封裝的技術(shù)與產(chǎn)品趨勢。

                                           圖1 LED 封裝的組成要素

        2.LED技術(shù)發(fā)展大趨勢

        LED封裝方法、材料、結(jié)構(gòu)和工藝的選擇主要由芯片結(jié)構(gòu)、光電/ 機械特性、具體應用和成本等因素決定的。經(jīng)過40多年的發(fā)展,LED封裝先后經(jīng)歷了支架式(LampLED)、貼片式(S MD LED)、功率型LED(Power LED)與COB等發(fā)展階段。如圖2 所示。

                          圖2 LED 封裝不同發(fā)展階段的封裝形式

        發(fā)展到今天，往后會走向何方?SMD? EMC? COB?還是CSP? 什么是倒裝焊與無封裝?到底LED的封裝會走那個方向，目前還是眾說紛紜。不過從歷史趨勢來看，如圖3所示，封裝材料越來越少，材料導熱性越來越好，功率密度越來越大，封裝制程步驟來越精簡與器件越來越少是未來的趨勢，當然這離開不了芯片技術(shù)的進步。

                                                                                   圖3 封裝制程步驟的精簡趨勢

        表1是科技部半導體照明中心的中國LED的技術(shù)藍圖，從2004年開始到現(xiàn)在，中國一直往這個藍圖方向走，預計到未來的2022年將達到300流明瓦的目標，單燈成本將小于10塊錢，這對封裝技術(shù)而言是一項非常大的挑戰(zhàn)，技術(shù)進步，成本降低，海茲定律未來會繼續(xù)主導LED的方向，尤其是LED照明產(chǎn)業(yè)。過去十年，LED芯片效率的提升將使芯片的面積不斷減小，進而驅(qū)動了LED封裝革命，如表2所示。

                                                                                      表一

                    表2 LED芯片效率的提升將使芯片的面積不斷減小

       未來芯片技術(shù)將會以提高效率降低成本為主，瑩光粉技術(shù)將以提高效率穩(wěn)定性與演色指數(shù)為進步方向，LED芯片效率的提升將以階段性成長為主, 從10lm/w~80lm/w、80lm/w~100lm/w、100lm/w~150lm/w、150lm/w~200lm/w…… 當技術(shù)進步到300lm/w時對比現(xiàn)有的芯片效率提升了1.5~2倍，芯片的發(fā)熱量將大幅度減少( 指同體積同面積比較)，這將導致目前各種封裝技術(shù)進行大比拼，所有的技術(shù)路線趨勢將會更分化與多元，什么產(chǎn)品使用什么封裝工藝將會更固定。LED將迎來主流中有多元，多元分化但離開主流卻不遠。

        3. 正在變化與未來即將改變的LED 封裝技術(shù)

        隨著芯片功率密度的不斷增大, 特別是半導體照明技術(shù)發(fā)展的需求, 對LED封裝的光學、熱學、電學和機械結(jié)構(gòu)等提出了新的、更高的要求。

       由前文所敘述得知，高光效技術(shù)的發(fā)展路線可以預見現(xiàn)有的封裝工藝與封裝材料并不能適用于未來的封裝要求。由于芯片內(nèi)量子效率的提升所以產(chǎn)生的熱量會減少，芯片有源層的有效電流密度會大幅度上升。芯片整體發(fā)熱量減少了,所以對于封裝形式的散熱面積要求也會減少, 目前采用的厚重散熱的封裝結(jié)構(gòu)將會發(fā)生大的變化，所以LED芯片效率提高使芯片面積大幅度減小，從而改變封裝的方式，使單一器件的光輸出大大增加，現(xiàn)在，單顆高效率LED芯片面積大幅度減小(250mil2=60LM)。發(fā)熱變少與應用上對單一LED光源的高光通量需求使集成化封裝成為主流。集成化封裝LED器件的熱聚集效應使LED器件的整體導熱效率變得極為重要。能夠大幅度減低熱阻的封裝技術(shù)可能成為LED芯片封裝技術(shù)的主流，倒裝的回流焊技術(shù)只要解決芯片良率與成本問題，這將會革命性的減低封裝的成本，會使非金線焊接技術(shù)的倒裝封裝技術(shù)大規(guī)模應用。當然仿PC硬度的硅膠成型技術(shù)、非球面的二次光學透鏡技術(shù)等出光技術(shù)都將成為LED封裝技術(shù)的基礎。定向定量點膠工藝、圖形化涂膠工藝、二次靜電噴瑩光粉工藝、膜層壓法三基色熒光粉涂布工藝、芯片沉積加壓法等白光工藝都將應用在LED封裝工藝中，將會改善LED器件的出光效率與光色分布。

        SMD的發(fā)展趨勢

        SMD封裝， 是Surface Mounted Devices的縮寫， 意為：表面貼裝器件， 它是SMT(Surface Mount Technology 中文: 表面黏著技術(shù)) 元器件中的一種。目前SMD是封裝技術(shù)的最大宗產(chǎn)品，尤其是2835型的封裝型式目前幾乎占據(jù)了主流照明市場，預測未來五年內(nèi)SMD還會是LED的主流，但是會逐步降低比率，但是維持半壁江山還是有機會的，未來SMD會有下列趨勢迎接其它技術(shù)的競爭：

a) 中功率成為主流封裝方式。目前市場上的產(chǎn)品多為大功率LED產(chǎn)品或是小功率LED產(chǎn)品，它們雖各有優(yōu)點，但也有著無法克服的缺陷。而結(jié)合兩者優(yōu)點的中功率LED產(chǎn)品應運而生，成為主流封裝方式。

b) 新材料在封裝中的應用。由于耐高溫、抗紫外以及低吸水率等更高更好的環(huán)境耐受性， 熱固型材料EMC(Epoxy Molding Compound)、熱塑性PCT、改性PPA以及類陶瓷塑料等材料將會被廣泛應用。

c) 相較于PPA或是陶瓷基板，EMC封裝方案為采用環(huán)氧樹脂材料為主，更容易實現(xiàn)大規(guī)模的量大生產(chǎn)需求，透過量的擴增進一步壓縮制造成本，另外環(huán)氧樹脂材料應用更為彈性，不僅尺寸可以輕易重新設計，加上材料更小、更容易進行切割處理，終端產(chǎn)品元器件的設計更為靈活、彈性，所制成的終端光源組件可在小體積上驅(qū)動高瓦數(shù)，尤其在0.2W~2W左右的光源產(chǎn)品極具競爭力。

       COB的發(fā)展趨勢

       目前COB應用逐漸得到普及，憑借低熱阻、光型好、免焊接以及成本低廉等優(yōu)勢，COB應用在今后將會繼續(xù)滲透。COB封裝工藝有非常多的優(yōu)勢，甩掉了支架表貼焊接這個環(huán)節(jié)，COB封裝工藝是直接將LED裸芯片固定到焊盤上，所以散熱面積相對傳統(tǒng)封裝工藝要大，材料綜合熱傳導系數(shù)也高，散熱性好。這也是保證COB封裝高可靠性因素中權(quán)重最高的一個因素。COB封裝省去了燈珠面過回流焊工藝，不再造成傳統(tǒng)封裝工藝回流焊爐內(nèi)高溫對LED芯片和焊線失效。另外可以跟其它元器件集成封裝式的光引擎也是COB的很大優(yōu)勢，集成封裝式光引擎也許會是未來COB技術(shù)的主流之一。

       SIP(System in Package) 是近幾年來為適應整機的便攜式發(fā)展和系統(tǒng)小型化的要求, 在系統(tǒng)芯片 System on Chip(SOC) 基礎上發(fā)展起來的一種新型封裝集成方式。對SIP-LED而言, 不僅可以在一個封裝內(nèi)組裝多個發(fā)光芯片,還可以將各種不同類型的器件( 如電源、控制電路、光學微結(jié)構(gòu)、傳感器等) 集成在一起, 構(gòu)建成一個更為復雜的、完整的系統(tǒng)。同其他封裝結(jié)構(gòu)相比,SIP具有工藝兼容性好( 可利用已有的電子封裝材料和工藝), 集成度高, 成本低, 可提供更多新功能, 易于分塊測試, 開發(fā)周期短等優(yōu)點。當然COB在光效與發(fā)光密度的參數(shù)也是大家比較關注的焦點，根據(jù)報導，在Ra>80，R9>0的高光色質(zhì)量下，目前國內(nèi)COB最高光效的數(shù)據(jù)高達162lm/W，最高流明密度可以到達88lm/mm2，但是在105lm/W的光效之下，流明密度更可以達到220lm/mm2，與美國的cree的280lm/mm2還是有不小的差距，但是已經(jīng)接近國際大廠的水平。

       CSP 的發(fā)展趨勢

       CSP的全名是芯片級封裝(Chip Scale Package),就是目前封裝業(yè)界最怕的無封裝制程，CSP無需支架、金線等傳統(tǒng)封裝工藝中必須的主要部件材料及固晶、焊金線等封裝主要裝備。CSP的技術(shù)定義為將封裝體積和LED芯片一致、或是封裝體積應不大于LED芯片20%，且LED仍能具備完整功能的封裝器件，而CSP技術(shù)所追求的是在器件體積盡可能微縮、減小，卻仍須維持相同芯片所應有的光效，而關鍵器件體積減小后最直接的特點就能實踐低成本、小發(fā)光面積、更長組件使用壽命的設計目的，再加上小體積器件也表示二次光學的相關光學處理優(yōu)化彈性更高、處理成本更低，制成的燈具產(chǎn)品能在極小光學結(jié)構(gòu)實踐最高亮度與最大發(fā)光角度。

        CSP發(fā)展到現(xiàn)在，技術(shù)路線始終有兩個方向，單面發(fā)光與五面發(fā)光，三星LED發(fā)展CSP之初，是為了大尺寸背光用途，使用技術(shù)比較簡單的五面發(fā)光技術(shù)，同樣的技術(shù)路線是首爾半導體的WICOP，用來應用于通用照明市場。單面發(fā)光技術(shù)有日亞與亮銳的CSP產(chǎn)品，由于是單面發(fā)光，所以工藝比較復雜，需要在器件的側(cè)面鍍反射膜，成本會比較高，但是此產(chǎn)品可以用于高階的應用例如汽車照明與手機照相的閃光燈，所以目前是CSP技術(shù)的未來趨勢。

        目前日亞化學在單面發(fā)光CSP技術(shù)處于領先地位，單面發(fā)光技術(shù)相對與SMD，除了價格目前比較高以外，有非常絕對的優(yōu)勢，可以用在特殊照明的市場應用，例如電子產(chǎn)品的手機照相機閃光燈與液晶背光，汽車大燈，戶外照明的路燈隧道燈與投光燈，以及高密度COB產(chǎn)品都可以使用。未來隨著大批量CSP制造技術(shù)成熟，CSP會持續(xù)滲透到更多的照明應用。

目前國內(nèi)廠商的CSP的亮度表現(xiàn)已經(jīng)接近日韓水平，市面上可以量產(chǎn)1W級的光效可以到達205lm / W(350mA，cRI 80+，5000K)，3W級的產(chǎn)品也可以達到190lm/ W(750mA，cRI 70+，5000K) 的光效，5W封裝技術(shù)可以到達170lm/ W(1200mA，CRI70+，5000K)的光效。性價比更是甩開日韓相關產(chǎn)品，但是由于品牌與專利的關系，目前主流應用例如汽車照明或閃光燈市場還是很難進入。

        4. 通用照明未來的封裝大趨勢

        1) 芯片超電流密度會繼續(xù)增加。

        今后芯片超電流密度，將由0.5mA/mil2 發(fā)展為1mA/mil2，甚至更高。而芯片需求電壓將會更低，更平滑的VI曲線( 發(fā)熱量低)，以及ESD 與VF 兼顧。

        2) 適用于情景照明的多色LED光源。

        情景照明將是LED照明的核心競爭力，而未來LED照明的第二次起飛則需要依靠情景照明來實現(xiàn)。

        3) 光效需求相對降低，性價比成為封裝廠制勝法寶。

      今后室內(nèi)照明不會太關注光效，而會更注重光的品質(zhì)。而隨著封裝技術(shù)提高，LED燈具成本降低成為替代傳統(tǒng)照明源的動。

       4) 去電源方案( 高壓LED)。

      今后室內(nèi)照明將更關注品質(zhì)，而在成本因素驅(qū)動下，去電源方案逐步會成為可接受的產(chǎn)品，而高壓LED充分迎合了去電源方案，但其需要解決的是芯片可靠性需要加強。

        5) 國際國內(nèi)標準進一步完善。

        相信隨著LED封裝技術(shù)的不斷精進，國內(nèi)國際上對于LED產(chǎn)品的質(zhì)量標準也會不斷完善。

       6) 更高光品質(zhì)的需求。

       主要是針對室內(nèi)照明，企業(yè)會以LED室內(nèi)照明產(chǎn)品RA達到80為標準，以RA達到90為目標，盡量使照明產(chǎn)品的光色接近普蘭克曲線，這樣的光才能夠均勻、無眩光。

      1　顯示屏未來的封裝大趨勢

       過去顯示屏的封裝有直插式、SMD 與COB三個主流方向，但是隨著小間距的要求越來越多，COB會越來越是未來的主流。直插式與SMD封裝工藝在固晶焊線方面與COB封裝沒有區(qū)別，它最大的區(qū)別在于使用了支架。

       大家都知道，支架一般有四個焊腿，需要通過SMT焊接到PCB板上。因此COB封裝工藝相比直插式和SMD封裝工藝最大的不同之處在于單燈省去了一個支架，因此也就節(jié)省了燈珠面過回流焊機的表貼焊接處理工藝。為什么COB會是未來技術(shù)的主流呢?以下是顯示屏用的COB優(yōu)勢：

       1)超輕薄：可根據(jù)客戶的實際需求，采用厚度從0.4-1.2mm厚度的PCB板，使重量最少降低到原來傳統(tǒng)產(chǎn)品的1/3，可為客戶顯著降低結(jié)構(gòu)、運輸和工程成本。

       2)防撞抗壓：COB產(chǎn)品是直接將LED芯片封裝在PCB板的凹形燈位內(nèi)，然后用環(huán)氧樹脂膠封裝固化，燈點表面凸起成球面，光滑而堅硬，耐撞耐磨。

       3)大視角：COB封裝采用的是淺井球面發(fā)光，視角大于175度，接近180度，而且具有更優(yōu)秀的光學漫散色渾光效果。

       4)可彎曲：可彎曲能力是COB封裝所獨有的特性，PCB的彎曲不會對封裝好的LED芯片造成破壞，因此使用COB模塊可方便地制作LED弧形屏，圓形屏，波浪形屏。是酒吧、夜總會個性化造型屏的理想基材。可做到無縫隙拼接，制作結(jié)構(gòu)簡單，而且價格遠遠低于柔性線路板和傳統(tǒng)顯示屏模塊制作的LED異形屏。

        5)散熱能力強：COB產(chǎn)品是把燈封裝在PCB板上，通過PCB板上的銅箔快速將燈芯的熱量傳出，而且PCB板的銅箔厚度都有嚴格的工藝要求，加上沉金工藝，幾乎不會造成嚴重的光衰減。所以很少死燈，大大延長了LED顯示屏的壽命。

       6)耐磨、易清潔：燈點表面凸起成球面，光滑而堅硬，耐撞耐磨;出現(xiàn)壞點，可以逐點維修;沒有面罩，有灰塵用水或布即可清潔。

       7)全天候優(yōu)良特性：采用三重防護處理，防水、潮、腐、塵、靜電、氧化、紫外效果突出;滿足全天候工作條件，零下30度到零上80度的溫差環(huán)境仍可正常使用。由上面的趨勢來看，由于SMD需要解決焊腳問題，一個燈珠有四個焊腳，那么隨著顯示屏的密度更高，單位平方米中所使用的燈珠將會更多，焊腳將會越來越密，這個問題不解決，對于表貼來說小型化是一個非常大的挑戰(zhàn)，COB把支架這一部分略過，幾百萬個焊點的難題全部被拋之腦后，小型化做起來更輕松。所以未來的顯示屏技術(shù)會往COB方向走是毋庸置疑的，COB封裝最大的技術(shù)優(yōu)勢就是直接在PCB板上進行封裝，不受燈珠的限制，所以，對于COB來說點間距這個說法并不科學，理論上來說，COB封裝想要達到高密，是非常容易的，借用行業(yè)人士一句話來說，COB封裝就是為小間距量身打造的，如果RGB的倒裝芯片逐漸往小芯片技術(shù)方向走，甚至未來的Mini LED甚至Micro LED都會往這個技術(shù)趨勢做顯示產(chǎn)品。

        2　Mini LED與Micro LED

        Mini LED是指芯片尺寸約在100微米左右的LED，Mini LED的尺寸介于傳統(tǒng)LED與Micro LED之間，目前主要應用在超小間距顯示屏與傳統(tǒng)LED背光基礎上的改良版本的mini LED背光。而Micro LED是LED微縮化和矩陣化技術(shù)，簡單來說，就是將LED背光源進行薄膜化、微小化、陣列化，可以讓LED發(fā)光單元像素小于100微米，每個RGB次像素發(fā)光單元在20微米到30微米之間，與OLED一樣能夠?qū)崿F(xiàn)每個圖元單獨定制，單獨驅(qū)動發(fā)光的自發(fā)光顯示技術(shù)。如果從結(jié)構(gòu)原理上來看， Micro LED結(jié)構(gòu)更簡單，但是它最大的難題就是眾所周知的巨量轉(zhuǎn)移，而LED的微小化技術(shù)也是難題之二，當然如何保證良率接近100%更是Micro LED最大的挑戰(zhàn)，比方說， 4K級別的Micro LED中尺寸顯示器，需要2,488萬個以上的RGB三色Micro LED高度集成，而且不能有壞點，難度可想而知，短期內(nèi)要量產(chǎn)還需要很長的時間。從工藝制程上看，Mini LED相較于Micro LED來說，工藝更接近目前的一般LED，良率更好控制，在顯示屏應用上，可以做出解析度非常高的電影屏幕，背光應用上可以搭配軟性基板達成高曲面背光的形式，采用局部調(diào)光設計，擁有更好的演色性與對比度，能帶給液晶面板更為精細的畫面，且厚度也趨近OLED，同時具有省電功能。所以，很可能mini LED在未來兩到三年會支撐LCD對抗OLED技術(shù)， 但是隨著OLED良率提升與柔性OLED技術(shù)的成熟，mini LED背光將會節(jié)節(jié)敗退，而在這三年左右的緩沖期中，Micro LED能否突破技術(shù)瓶頸，將良率與成本進行革命性的突破，將關系到LED與OLED最終的勝負，人類的終極顯示技術(shù)，誰會是最終王者，也許三年后就會有最終的答案。